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IXFE 44N50Q
IXFE 48N50Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
ISOPLUS-227 B
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V DS = 20 V; I D = I T, Notes 1, 2
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
R G = 4.7 ? (External),
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
30
42
7000
960
230
33
22
75
10
190
40
86
0.07
0.31
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Note:1
48
192
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.0
10
250
ns
μ C
A
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2. I T Test current:
44N50Q: I T = 22A
48N50Q: I T = 24A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
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